Title |
Description |
Producer |
In Stock |
Store |
Price |
Купить |
Hesai pandar128 |
128-канальный механический 3D лидар с высокой плотностью данных |
Hesai |
200 |
№
76 |
7750000 |
|
Hesai qt128 |
128-канальный механический лидар ближней дальности |
Hesai |
200 |
№
76 |
920000 |
|
B82422A1104K100 |
ЧИП-индуктивность формованная 100мкГн ±10% 100кГц 27Q-фактор феррит 65мА 1210 блистер, лента на катушке |
Epcos |
472 |
№
2 |
45 |
|
LQW2BHN47NJ03L |
Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 450мА 230мОм по постоянному току |
Murata |
2073 |
№
2 |
40 |
|
LQH32MN101K23L |
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 80мА,... |
Murata |
1045 |
№
2 |
9 |
|
B82477G4104M |
ЧИП-индуктивность экранированная 100мкГн ±20%, 1.7A, 165мОм |
Epcos |
740 |
№
2 |
130 |
|
LQW18AN22NJ00D |
Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току |
Murata |
3724 |
№
2 |
5 |
|
B82498F1392J |
Проволочная чип индуктивность 0805 3900nH 5% Ir=95mA 3.6 Ohms |
Epcos |
3309 |
№
2 |
12 |
|
B82498F3100J |
Проволочная чип индуктивность 0805 10nH ±5% Ir=700mA 0.09 Ohms |
Epcos |
1166 |
№
2 |
38 |
|
CDRH3D16NP-100NC |
Силовая SMD индуктивность 10мкГн ±30% 0.55A 0.16Ом c магнитным экраном |
Sumida |
4736 |
№
2 |
40 |
|
B82477P4473M |
ЧИП-индуктивность экранированная 47мкГн ±20%, 2.8A, 67мОм |
Epcos |
222 |
№
2 |
211 |
|
B82477P4823M |
ЧИП-индуктивность экранированная 82мкГн ±20%, 2.1A, 120мОм |
Epcos |
430 |
№
2 |
133 |
|
B82477P4683M |
ЧИП-индуктивность экранированная 68мкГн ±20%, 2.35A, 98мОм |
Epcos |
282 |
№
2 |
220 |
|
B82477G4333M |
ЧИП-индуктивность экранированная 33мкГн ±20%, 3.0A, 53мОм |
Epcos |
849 |
№
2 |
157 |
|
B82477G4224M |
ЧИП-индуктивность экранированная 220мкГн ±20%, 1.16A, 380мОм |
Epcos |
3313 |
№
2 |
142 |
|
B82475M1154K |
ЧИП-индуктивность 150мкГн 0.78A 10.4 x10.0x 5.8мм |
Epcos |
901 |
№
2 |
27 |
|
B82464G4473M |
Силовая SMD индуктивность 47uH ±20% 1.55A 0.095 Ohm c магнитным экраном |
Epcos |
1033 |
№
2 |
112 |
|
B82720S2202N040 |
Дроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x1.1mH 2A, SMD исполнения |
Epcos |
248 |
№
2 |
216 |
|
B82498F1472J |
Проволочная чип индуктивность 0805 4700nH 5% Ir=90mA 3.8 Ohms |
Epcos |
1534 |
№
2 |
61 |
|
B82731M2401A033 |
Фильтр синфазных помех 2х68 мГн, 4А, 80 мОм, 250В, 15 x 40 (мм), вертикального исполнения, |
Epcos |
470 |
№
2 |
80 |
|
B82731M2701A030 |
Фильтр синфазных помех 2х27 мГн, 0.7А, 1Ом, 250В, 15 x 40 (мм), вертикального исполнения, |
Epcos |
239 |
№
2 |
145 |
|
B82732R2901B030 |
Фильтр синфазных помех 2х27 мГн, 0.9А, 0.75 Ом, 250В, 11 x 12.5 (мм), вертикального исполнения, |
Epcos |
375 |
№
2 |
206 |
|