|
Title |
Description |
Producer |
In Stock |
Store |
Price |
Купить |
|
индук 330,0мкГн 0,52А SMD10090C2 10% SCD1005T |
SCD1005T-331K-N(331)1,15Ом |
- |
под заказ |
№
35 |
45 |
|
|
индук 330,0мкГн SMD04532C2[1812] 10% |
7027 L 330,0мкГн10%1812SMD |
- |
под заказ |
№
35 |
30 |
|
|
индук 330,0мкГн SMD04532C2[1812] |
0331 L 330,0мкГн\1812SMD |
- |
под заказ |
№
35 |
45 |
|
|
индук 330,0нГн 0,18А SMD02012C2[0805] LQW2BH |
LQW2BHNR33K0110МГц |
- |
под заказ |
№
35 |
132 |
|
|
индук 330,0нГн SMD01608C2[0603] 5% LQW18A_00 |
|
- |
под заказ |
№
35 |
30 |
|
|
индук 390,0нГн 0,29А SMD02417C2[0805] 5% CS0805 |
CHILISIN T/- [CS0805-R39J-S] |
- |
под заказ |
№
35 |
15 |
|
|
индук 390,0нГн 0,47А SMD02928C2[1008] 5% CS1008 |
CHILISIN T/- [CS1008-R39J-S] |
- |
под заказ |
№
35 |
23 |
|
|
индук 470,0мкГн 1,0А SMD123123C2 CDRH127/LDNP |
12,3x12,3x8,0(471M) |
- |
под заказ |
№
35 |
225 |
|
|
индук 470,0мкГн SMD03225C2[1210] LQH32M |
|
- |
под заказ |
№
35 |
83 |
|
|
индук 470,0мкГн SMD04532C2[1812] жел |
7064 L 470,0мкГн\1812SMD |
- |
под заказ |
№
35 |
45 |
|
|
индук 470,0мкГн SMD04532C2[1812] чер |
0332 L 470,0мкГн\1812SMD |
- |
под заказ |
№
35 |
45 |
|
|
индук 470,0мкГн SMD (71) |
0780 L 470,0мкГн\SMD(71) |
- |
под заказ |
№
35 |
83 |
|
|
индук 470,0нГн 0,47А SMD02928C2[1008] 5% CS1008 |
CHILISIN T/- [CS1008-R47J-S] |
- |
под заказ |
№
35 |
23 |
|
|
индук 470,0нГн SMD02012C2[0805] |
|
- |
под заказ |
№
35 |
45 |
|
|
индук 560,0нГн SMD02012C2[0805] |
|
- |
под заказ |
№
35 |
66 |
|
|
индук 680,0мкГн SMD04532C2[1812] |
0333 L 680,0мкГн\1812 (681K) |
- |
под заказ |
№
35 |
30 |
|
|
индук 680,0нГн 0,19А SMD02417C2[0805] 5% CS0805 |
CHILISIN T/- [LQW2BASR68J00*] |
- |
под заказ |
№
35 |
20 |
|
|
индук 820,0мкГн SMD04532C2[1812] |
CM-453232.820UK |
- |
под заказ |
№
35 |
30 |
|
|
индук 820,0нГн SMD02012C2[0805] |
|
- |
под заказ |
№
35 |
66 |
|
|
JCDRH124-221M |
IND 12.0×12.0×4.5mm |
JY |
под заказ |
№
29 |
59 |
|
|
CDRH74NP-102MC |
Дроссель с сердечником на ферритовом барабане 1000мкГн 180мА ±20% витой |
Sumida |
под заказ |
№
2 |
42 |
|
|
B82472G6474M |
ЧИП-индуктивность экранированная 470мкГн ±20%, 0.29A, 2Ом |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
252 |
|
|
B82472G6154M |
ЧИП-индуктивность экранированная 150мкГн ±20%, 0.53A, 58мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
153 |
|
|
B82472G6105M |
ЧИП-индуктивность экранированная 1000мкГн ±20%, 0.2A, 3.85Ом |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
99 |
|
|
B82472G6683M |
ЧИП-индуктивность экранированная 68мкГн ±20%, 0.82A, 26мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
83 |
|
|
B82790C0513N201 |
2x51мкГн 0.5A Дроссель для подавления асимметричной интерференции... |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
123 |
|
|
B82477G4103M |
ЧИП-индуктивность экранированная 10мкГн ±20%, 5.4A, 22мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
102 |
|
|
CDRH74NP-331MC |
Силовая SMD индуктивность 330мкГн ±20% 0.32A 1.49Ом c магнитным экраном |
Sumida |
под заказ |
№
2 |
56 |
|
|
B82422A1104K100 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
53 |
|
|
LQW2BHN47NJ03L |
Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 450мА 230мОм по постоянному току |
Murata |
под заказ |
№
2 |
39 |
|
|
LQH32MN101K23L |
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 80мА,... |
Murata |
под заказ |
№
2 |
10 |
|
|
B82477G4104M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
168 |
|
|
LQW18AN22NJ00D |
Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току |
Murata |
под заказ |
№
2 |
5 |
|
|
B82498F1392J |
Проволочная чип индуктивность 0805 3900nH 5% Ir=95mA 3.6 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
12 |
|
|
B82498F3100J |
Проволочная чип индуктивность 0805 10nH ±5% Ir=700mA 0.09 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
55 |
|
|
CDRH3D16NP-100NC |
Силовая SMD индуктивность 10мкГн ±30% 0.55A 0.16Ом c магнитным экраном |
Sumida |
под заказ |
№
2 |
40 |
|
|
B82477P4104M |
ЧИП-индуктивность экранированная 100мкГн ±20%, 1.87A, 138мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
104 |
|
|
B82477P4154M |
ЧИП-индуктивность экранированная 150мкГн ±20%, 1.61A, 185мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
62 |
|
|
B82477P4473M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
268 |
|
|
B82477P4823M |
ЧИП-индуктивность экранированная 82мкГн ±20%, 2.1A, 120мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
136 |
|
|
B82477P4683M |
ЧИП-индуктивность экранированная 68мкГн ±20%, 2.35A, 98мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
225 |
|
|
B82477G4333M |
ЧИП-индуктивность экранированная 33мкГн ±20%, 3.0A, 53мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
161 |
|
|
B82477G4224M |
ЧИП-индуктивность экранированная 220мкГн ±20%, 1.16A, 380мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
140 |
|
|
B82477P4334M |
ЧИП-индуктивность экранированная 330мкГн ±20%, 1.02A, 460мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
109 |
|
|
B82475M1154K |
ЧИП-индуктивность 150мкГн 0.78A 10.4 x10.0x 5.8мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
28 |
|
|
B82464G4473M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
168 |
|
|
B82720S2202N040 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
344 |
|
|
B82498F1472J |
Проволочная чип индуктивность 0805 4700nH 5% Ir=90mA 3.8 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
60 |
|
|
B82731M2401A033 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
434 |
|
|
B82731M2701A030 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
395 |
|
|
B82732R2901B030 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
428 |
|
|
B82732R2112B030 |
Фильтр синфазных помех 2х15 мГн, 1.1А, 440 мОм, 250В, 10 x 12.5 (мм), вертикального исполнения. |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
349 |
|
|
B82734R2132B030 |
Фильтр синфазных помех 2х47 мГн, 1.3А, 0.56 Ом, 250В, вертикального исполнения |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
428 |
|
|
B82734R2202B030 |
Фильтр синфазных помех 2х20 мГн, 2.0А, 240 мОм, 250В, 15 x 12.5 (мм), горизонтального исполнения, |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
81 |
|
|
B82724A2302N021 |
Дроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой... |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
233 |
|
|
B82725A2402N001 |
Фильтр синфазных помех 2х6.8mH, 4А, 80 мОм, 250В, 20 x 30 (мм), горизонтального исполнения |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
635 |
|
|
B82462G4104M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
164 |
|
|
B82790S0513N201 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
339 |
|
|
B82732F2901B001 |
Дроссель подавления помех 27 мГн, 0.9А, 770 мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
148 |
|
|
B82732F2801B001 |
39мГн 0.8А 1100мОм 24.5x13.5x14.5мм Дроссель подавления помех |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
215 |
|
|
B82432T1333K |
ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 33мкГн... |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
64 |
|
|
RLB0914-471KL |
Индуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом... |
Bourns |
под заказ |
№
2 |
21 |
|
|
SDR0604-220YL |
ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 22мкГн... |
Bourns |
под заказ |
№
2 |
21 |
|
|
B82476A1104M |
ЧИП-индуктивность 100мкГн 1,3A 12.95 x 9.4 x 5.08мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
47 |
|
|
B82442H1103K |
ЧИП-индуктивность 2220 10мкГн ±1000мА 0.168Ом |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
55 |
|
|
B82498F3470J |
Проволочная чип индуктивность 0805 47nH ±5% Ir=600mA, 0.13 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
47 |
|
|
B82498F3471J |
Проволочная чип индуктивность 0805 470nH ±5% Ir=190mA 1.9 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
45 |
|
|
B82498F3121J |
Проволочная чип индуктивность 0805 120nH ±5% Ir=440mA 0.31 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
74 |
|
|
B82498F3221J |
Проволочная чип индуктивность 0805 220nH ±5% Ir=320mA 0.7 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
39 |
|
|
B82498F3680J |
Проволочная чип индуктивность 0805 68nH ±5% Ir=500mA 0,18 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
49 |
|
|
B82432T1104K |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
84 |
|
|
B82477G4473M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
139 |
|
|
B82477G4153M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
290 |
|
|
SRR1208-330YL |
SMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике,... |
Bourns |
под заказ |
№
2 |
84 |
|
|
B82498F1222J |
Проволочная чип индуктивность 0805 2200nH ±5% Ir=130mA 1.6 Ohms |
. |
под заказ |
№
2 |
18 |
|
|
B82498F3101J |
Проволочная чип индуктивность 0805 100nH ±5% Ir=450mA 0.28 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
48 |
|
|
B82498F3270J |
Проволочная чип индуктивность 0805 27nH ±5% Ir=700mA 0.09 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
50 |
|
|
B82498F1102J |
Проволочная чип индуктивность 0805 1000nH ±5% Ir=240mA 0.55 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
59 |
|
|
B82498F3181J |
Проволочная чип индуктивность 0805 180nH ±5% Ir=340mA 0.53 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
35 |
|
|
B82732F2451B001 |
Дроссель подавления помех 100 мГн, 0.45А, 2930 мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
104 |
|
|
B82732F2601B001 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
351 |
|
|
B82732F2701B001 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
364 |
|
|
B82732F2132B001 |
Дроссель подавления помех 15 мГн, 1,3А, 430 мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
173 |
|
|
B82732F2162B001 |
10мГн 1.6А 290мОм 24.5x13.5x14.5мм Дроссель подавления помех |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
318 |
|
|
B82477R4821M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 0.82мкГн, 11.5A, Isat=38A 5мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
41 |
|
|
B82477R4202M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 2мкГн, 8.9A, Isat=24A 8мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
167 |
|
|
B82477R4362M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 3.6мкГн, 8.05A, Isat=16A 10мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
98 |
|
|
B82477R4562M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 5.6мкГн, 7.25A, Isat=12.75A 11.5мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
62 |
|
|
B82477R4103M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 10мкГн ±20%, 5.9A, 0.0185Ом, 12.5х12.5х8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
141 |
|
|
B82477R4223M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 22мкГн, 4.2A, Isat=7.25A 32мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
178 |
|
|
B82477R4473M100 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
267 |
|
|
B82477R4104M100 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
329 |
|
|
B82477R4224M100 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
324 |
|
|
B82477R4474M100 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
343 |
|
|
B82477R4105M100 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
324 |
|
|
B82477P4472M |
ЧИП-индуктивность экранированная 4.7мкГн ±20%, 7.3A, 12мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
98 |
|
|
B82477P4103M |
ЧИП-индуктивность экранированная 10мкГн ±20%, 5.8A, 19мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
62 |
|
|
B82477P4223M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
140 |
|
|
B82721K2202N001 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
500 |
|
|
B82793C0105N265 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
398 |
|
