Title |
Description |
Producer |
In Stock |
Store |
Price |
Купить |
SDR0604-220YL |
ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 22мкГн... |
Bourns |
10080 |
№
2 |
21 |
|
B82498F3470J |
Проволочная чип индуктивность 0805 47nH ±5% Ir=600mA, 0.13 Ohms |
Epcos |
3468 |
№
2 |
47 |
|
B82498F3471J |
Проволочная чип индуктивность 0805 470nH ±5% Ir=190mA 1.9 Ohms |
Epcos |
7906 |
№
2 |
45 |
|
B82498F3121J |
Проволочная чип индуктивность 0805 120nH ±5% Ir=440mA 0.31 Ohms |
Epcos |
481 |
№
2 |
74 |
|
B82498F3221J |
Проволочная чип индуктивность 0805 220nH ±5% Ir=320mA 0.7 Ohms |
Epcos |
5920 |
№
2 |
39 |
|
B82498F3680J |
Проволочная чип индуктивность 0805 68nH ±5% Ir=500mA 0,18 Ohms |
Epcos |
1352 |
№
2 |
49 |
|
SRR1208-330YL |
SMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике,... |
Bourns |
4924 |
№
2 |
84 |
|
B82498F1222J |
Проволочная чип индуктивность 0805 2200nH ±5% Ir=130mA 1.6 Ohms |
. |
1422 |
№
2 |
18 |
|
B82498F3101J |
Проволочная чип индуктивность 0805 100nH ±5% Ir=450mA 0.28 Ohms |
Epcos |
2435 |
№
2 |
48 |
|
B82498F3270J |
Проволочная чип индуктивность 0805 27nH ±5% Ir=700mA 0.09 Ohms |
Epcos |
618 |
№
2 |
50 |
|
B82498F1102J |
Проволочная чип индуктивность 0805 1000nH ±5% Ir=240mA 0.55 Ohms |
Epcos |
7351 |
№
2 |
59 |
|
B82498F3181J |
Проволочная чип индуктивность 0805 180nH ±5% Ir=340mA 0.53 Ohms |
Epcos |
2653 |
№
2 |
34 |
|
B82732F2451B001 |
Дроссель подавления помех 100 мГн, 0.45А, 2930 мОм |
Epcos |
312 |
№
2 |
104 |
|
B82732F2162B001 |
10мГн 1.6А 290мОм 24.5x13.5x14.5мм Дроссель подавления помех |
Epcos |
1216 |
№
2 |
318 |
|
B82477R4562M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 5.6мкГн, 7.25A, Isat=12.75A 11.5мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
205 |
№
2 |
62 |
|
B82477R4103M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 10мкГн ±20%, 5.9A, 0.0185Ом, 12.5х12.5х8.5мм |
Epcos |
451 |
№
2 |
141 |
|
B82477R4223M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 22мкГн, 4.2A, Isat=7.25A 32мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
101 |
№
2 |
178 |
|
B82464G4222M |
Силовая SMD индуктивность 2.2uH ±20% 6.5A 0.01 Ohm c магнитным экраном |
Epcos |
212 |
№
2 |
177 |
|
B82472G6332M |
ЧИП-индуктивность экранированная 3.3мкГн ±20%, 2.85A, 23мОм |
Epcos |
383 |
№
2 |
183 |
|
B82472G6472M |
ЧИП-индуктивность экранированная 4.7мкГн ±20%, 2.5A, 30мОм |
Epcos |
156 |
№
2 |
124 |
|