|
Title |
Description |
Producer |
In Stock |
Store |
Price |
Купить |
|
Hesai pandar128 |
128-канальный механический 3D лидар с высокой плотностью данных |
Hesai |
200 |
№
76 |
7750000 |
|
|
Hesai qt128 |
128-канальный механический лидар ближней дальности |
Hesai |
200 |
№
76 |
920000 |
|
|
B82498F3101J |
Проволочная чип индуктивность 0805 100nH ±5% Ir=450mA 0.28 Ohms |
Epcos |
2525 |
№
2 |
47 |
|
|
B82498F3270J |
Проволочная чип индуктивность 0805 27nH ±5% Ir=700mA 0.09 Ohms |
Epcos |
639 |
№
2 |
51 |
|
|
B82498F1102J |
Проволочная чип индуктивность 0805 1000nH ±5% Ir=240mA 0.55 Ohms |
Epcos |
7571 |
№
2 |
63 |
|
|
B82498F3181J |
Проволочная чип индуктивность 0805 180nH ±5% Ir=340mA 0.53 Ohms |
Epcos |
2803 |
№
2 |
32 |
|
|
B82732F2451B001 |
Дроссель подавления помех 100 мГн, 0.45А, 2930 мОм |
Epcos |
312 |
№
2 |
114 |
|
|
B82732F2601B001 |
Дроссель подавления помех 68 мГн, 0.6А, 1970 мОм |
Epcos |
171 |
№
2 |
107 |
|
|
B82732F2701B001 |
Дроссель подавления помех 47 мГн, 0.7А, 1260 мОм |
Epcos |
718 |
№
2 |
253 |
|
|
B82732F2132B001 |
Дроссель подавления помех 15 мГн, 1,3А, 430 мОм |
Epcos |
169 |
№
2 |
170 |
|
|
B82732F2162B001 |
10мГн 1.6А 290мОм 24.5x13.5x14.5мм Дроссель подавления помех |
Epcos |
1222 |
№
2 |
311 |
|
|
B82477R4562M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 5.6мкГн, 7.25A, Isat=12.75A 11.5мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
305 |
№
2 |
61 |
|
|
B82477R4103M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 10мкГн ±20%, 5.9A, 0.0185Ом, 12.5х12.5х8.5мм |
Epcos |
154 |
№
2 |
148 |
|
|
B82477R4223M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 22мкГн, 4.2A, Isat=7.25A 32мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
106 |
№
2 |
174 |
|
|
B82477R4104M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 100мкГн, 2.25A, Isat=3.25A 120мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
312 |
№
2 |
269 |
|
|
B82477R4474M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 470мкГн, 1.02A, Isat=1.5A 605мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
300 |
№
2 |
310 |
|
|
B82477R4105M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 1000мкГн, 0.65A, Isat=1.05A 1350мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
3 |
№
2 |
461 |
|
|
B82477P4223M |
ЧИП-индуктивность экранированная 22мкГн ±20%, 4.15A, 35мОм |
Epcos |
802 |
№
2 |
136 |
|
|
B82721K2202N001 |
Дроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой... |
Epcos |
841 |
№
2 |
212 |
|
|
B82793C0105N265 |
Фильтр синфазной/дифференциальной помехи сигнальный Lr=1mH, Lstr=70nH, Ir=700mA |
Epcos |
938 |
№
2 |
94 |
|
|
B82464G4222M |
Силовая SMD индуктивность 2.2uH ±20% 6.5A 0.01 Ohm c магнитным экраном |
Epcos |
235 |
№
2 |
174 |
|
|
B82472G6222M |
ЧИП-индуктивность экранированная 2.2мкГн ±20%, 3A, 20мОм |
Epcos |
960 |
№
2 |
101 |
|
