|
Title |
Description |
Producer |
In Stock |
Store |
Price |
Купить |
|
Hesai pandar128 |
128-канальный механический 3D лидар с высокой плотностью данных |
Hesai |
200 |
№
76 |
7750000 |
|
|
Hesai qt128 |
128-канальный механический лидар ближней дальности |
Hesai |
200 |
№
76 |
920000 |
|
|
LQH43MN1R0M03L |
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 500мА,... |
Murata |
500 |
№
2 |
35 |
|
|
LQW2BASR68J00L 0805-LQW2BAS 680 nH J |
Чип индуктивности |
Murata |
1300 |
№
116 |
14 |
|
|
RLB0608-101KL 100uH K |
Катушки индуктивности |
Bourns |
2400 |
№
116 |
18 |
|
|
RLB0812-471KL 470uH K |
Катушки индуктивности |
Bourns |
1107 |
№
116 |
21 |
|
|
NLV25T-1R5J-PFD Чип индуктивность 1008 1.5uH 220mA J TDK |
Чип индуктивности |
Tdk |
8000 |
№
116 |
6 |
|
|
B82498F3820J001 Чип индуктивность 0805-B82498-F1 82 nH J EPC |
Чип индуктивности |
TDK (Epcos) |
6600 |
№
116 |
19 |
|
|
B82498F3470G001 Чип индуктивность 0805-B82498-F1 47 nH G EPC |
Чип индуктивности |
TDK (Epcos) |
5850 |
№
116 |
19 |
|
|
NLV32T-3R3J-PFD Чип индуктивность 1210-NLV32T 3.3uH 260mA TDK |
Чип индуктивности |
Tdk |
58000 |
№
116 |
10 |
|
|
NLV32T-470J-PFD Чип индуктивность 1210-NLV32T 47uH 60mA J TDK |
Чип индуктивности |
Tdk |
22000 |
№
116 |
4 |
|
|
NLV32T-R27J-PFD Чип индуктивность 1210-NLV32T 0.27uH 450mA TDK |
Чип индуктивности |
Tdk |
22000 |
№
116 |
8 |
|
|
SLF10145T-220M1R9-H Чип индуктивность SLF10145T 22uH 1.9A TDK |
Чип индуктивности |
Tdk |
20500 |
№
116 |
36 |
|
|
SLF7045T-220M1R3-H Чип индуктивность SLF7045T 22uH 1.3A M TDK |
Чип индуктивности |
Tdk |
11950 |
№
116 |
32 |
|
|
CDRH74NP-102MC |
Дроссель с сердечником на ферритовом барабане 1000мкГн 180мА ±20% витой |
Sumida |
4762 |
№
2 |
43 |
|
|
B82472G6474M |
ЧИП-индуктивность экранированная 470мкГн ±20%, 0.29A, 2Ом |
Epcos |
143 |
№
2 |
247 |
|
|
B82472G6154M |
ЧИП-индуктивность экранированная 150мкГн ±20%, 0.53A, 58мОм |
Epcos |
837 |
№
2 |
150 |
|
|
B82472G6105M |
ЧИП-индуктивность экранированная 1000мкГн ±20%, 0.2A, 3.85Ом |
Epcos |
824 |
№
2 |
97 |
|
|
B82472G6683M |
ЧИП-индуктивность экранированная 68мкГн ±20%, 0.82A, 26мОм |
Epcos |
562 |
№
2 |
135 |
|
|
B82790C0513N201 |
2x51мкГн 0.5A Дроссель для подавления асимметричной интерференции... |
Epcos |
4193 |
№
2 |
124 |
|
|
B82477G4103M |
ЧИП-индуктивность экранированная 10мкГн ±20%, 5.4A, 22мОм |
Epcos |
1517 |
№
2 |
148 |
|
|
CDRH74NP-331MC |
Силовая SMD индуктивность 330мкГн ±20% 0.32A 1.49Ом c магнитным экраном |
Sumida |
1945 |
№
2 |
56 |
|
