Title |
Description |
Producer |
In Stock |
Store |
Price |
Купить |
B82477G4153M |
ЧИП-индуктивность экранированная 15мкГн ±20%, 4.5A, 27мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
146 |
|
SRR1208-330YL |
SMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике,... |
Bourns |
под заказ |
№
2 |
97 |
|
B82498F1222J |
Проволочная чип индуктивность 0805 2200nH ±5% Ir=130mA 1.6 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
28 |
|
B82498F3101J |
Проволочная чип индуктивность 0805 100nH ±5% Ir=450mA 0.28 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
58 |
|
B82498F3270J |
Проволочная чип индуктивность 0805 27nH ±5% Ir=700mA 0.09 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
66 |
|
B82498F1102J |
Проволочная чип индуктивность 0805 1000nH ±5% Ir=240mA 0.55 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
46 |
|
B82498F3181J |
Проволочная чип индуктивность 0805 180nH ±5% Ir=340mA 0.53 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
28 |
|
B82732F2451B001 |
Дроссель подавления помех 100 мГн, 0.45А, 2930 мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
152 |
|
B82732F2601B001 |
Дроссель подавления помех 68 мГн, 0.6А, 1970 мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
166 |
|
B82732F2701B001 |
Дроссель подавления помех 47 мГн, 0.7А, 1260 мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
327 |
|
B82732F2132B001 |
Дроссель подавления помех 15 мГн, 1,3А, 430 мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
338 |
|
B82732F2162B001 |
10мГн 1.6А 290мОм 24.5x13.5x14.5мм Дроссель подавления помех |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
322 |
|
B82477R4821M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 0.82мкГн, 11.5A, Isat=38A 5мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
41 |
|
B82477R4202M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 2мкГн, 8.9A, Isat=24A 8мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
167 |
|
B82477R4362M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 3.6мкГн, 8.05A, Isat=16A 10мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
98 |
|
B82477R4562M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 5.6мкГн, 7.25A, Isat=12.75A 11.5мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
81 |
|
B82477R4103M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 10мкГн ±20%, 5.9A, 0.0185Ом, 12.5х12.5х8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
133 |
|
B82477R4223M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 22мкГн, 4.2A, Isat=7.25A 32мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
149 |
|
B82477R4473M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 47мкГн, 3.2A, Isat=4.9A 60мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
167 |
|
B82477R4104M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 100мкГн, 2.25A, Isat=3.25A 120мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
312 |
|