|
Title |
Description |
Producer |
In Stock |
Store |
Price |
Купить |
|
LQW18AN22NJ00D |
Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току |
Murata |
под заказ |
№
2 |
5 |
|
|
B82498F1392J |
Проволочная чип индуктивность 0805 3900nH 5% Ir=95mA 3.6 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
12 |
|
|
B82498F3100J |
Проволочная чип индуктивность 0805 10nH ±5% Ir=700mA 0.09 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
55 |
|
|
CDRH3D16NP-100NC |
Силовая SMD индуктивность 10мкГн ±30% 0.55A 0.16Ом c магнитным экраном |
Sumida |
под заказ |
№
2 |
40 |
|
|
B82477P4104M |
ЧИП-индуктивность экранированная 100мкГн ±20%, 1.87A, 138мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
104 |
|
|
B82477P4154M |
ЧИП-индуктивность экранированная 150мкГн ±20%, 1.61A, 185мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
62 |
|
|
B82477P4473M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
268 |
|
|
B82477P4823M |
ЧИП-индуктивность экранированная 82мкГн ±20%, 2.1A, 120мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
136 |
|
|
B82477P4683M |
ЧИП-индуктивность экранированная 68мкГн ±20%, 2.35A, 98мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
225 |
|
|
B82477G4333M |
ЧИП-индуктивность экранированная 33мкГн ±20%, 3.0A, 53мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
161 |
|
|
B82477G4224M |
ЧИП-индуктивность экранированная 220мкГн ±20%, 1.16A, 380мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
140 |
|
|
B82477P4334M |
ЧИП-индуктивность экранированная 330мкГн ±20%, 1.02A, 460мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
109 |
|
|
B82475M1154K |
ЧИП-индуктивность 150мкГн 0.78A 10.4 x10.0x 5.8мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
28 |
|
|
B82464G4473M |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
168 |
|
|
B82720S2202N040 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
344 |
|
|
B82498F1472J |
Проволочная чип индуктивность 0805 4700nH 5% Ir=90mA 3.8 Ohms |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
60 |
|
|
B82731M2401A033 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
434 |
|
|
B82731M2701A030 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
395 |
|
|
B82732R2901B030 |
|
Tdk |
под заказ |
№
2 |
428 |
|
|
B82732R2112B030 |
Фильтр синфазных помех 2х15 мГн, 1.1А, 440 мОм, 250В, 10 x 12.5 (мм), вертикального исполнения. |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
349 |
|
