IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Производитель
-
Описание
Транзисторы полевые.

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 12,2
Емкость, пФ: 2500
Заряд затвора, нКл: 26
Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время: задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 94 Вт
Вес брутто: 0.55
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO-252 (DPAK)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Наличие
2270
Цена (руб)
91
- +

Доставка IPD122N10N3GATMA1:

  • - Самовывоз 0 р.
  • - Почта России 300 р.
  • - Boxberry от 500 р.
  • - ТК от 500 р.

Оплата IPD122N10N3GATMA1:

  • - Для юридических лиц происходит по выставленному нами счету.
  • - Для физических лиц оплата наличными в пункте выдачи или банковскими картами MasterCard, Visa, МИР, Maestro, Visa Electron, AmericanExpress.
  • - Сбербанк Онлайн.


Вы можете заказать IPD122N10N3GATMA1 на нашем сайте с доставкой в любую точку России и мира. Доставка осуществляется Почтой России, Boxberry, ПЭК, СДЕК, Байкал сервис, Энергия, DHL, Dimex. А если Вы находитесь в Воронеже или Липецке, то забрать заказ можно и самовывозом (самостоятельно) из пунктов выдачи. Возврат товара надлежащего качества возможен в течение 7 дней при условии сохранения упаковки и чеков.
<<< Назад