Транзисторы


Title Description Producer In Stock Store Price Купить
Hesai pandar128 128-канальный механический 3D лидар с высокой плотностью данных Hesai 200 № 76 7750000
- +
Hesai qt128 128-канальный механический лидар ближней дальности Hesai 200 № 76 920000
- +
IRLR3410 (LR3410) N-Channel 17A,100V,0.105om - 100 № 26 64
- +
IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) IGBT 600V, 23A, 100W_ULTAFAST_8-40kH_с диодом_with diode - 100 № 26 327
- +
IRG4BC40U IGBT 600V, 40A, 160W - 100 № 26 395
- +
IRG4PC40UD (IGBT 40A, 600В) IGBT 600V, 40A, 160W_UltraFast_с диодом_with diode - 100 № 26 3353
- +
IRG4PC50W IGBT 600V, 55A, 200W, 75-150kHz - 100 № 26 1841
- +
IRG4PF50W (G4PF50W) IGBT 900V, 51A, 200W - 100 № 26 2008
- +
IRG4PF50WD (G4PF50WD) IGBT 900V, 51A_с диодом_with diode - 100 № 26 1326
- +
IRG4PH50UD ориг. IGBT 1200V,45A,200W, 10-75kHz_с диодом_with diode - 100 № 26 6460
- +
IRGP4062D IGBT 600V,48A_с диодом_with diode - 100 № 26 543
- +
IRGP4063D IGBT 600V,48A,Vce(on)=1.65V,150кГц_с диодом_with diode - 100 № 26 810
- +
IRGP4086 IGBT 300V,70A,Vce(on)=1.90V,P=160w - 100 № 26 852
- +
IRGP50B60PD1 IGBT 600V,75A,60-150кГц_с диодом_with diode - 100 № 26 3473
- +
MMBTA28-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А Diodes 511 № 2 5
- +
2SA1020 Y Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А, 0.9 Вт (рекомендуемая замена: 2SA2060) Tos 726 № 2 56
- +
2SA1216 Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 17 А, 200 Вт (Комплементарная пара 2SC2922) Sanken 25 № 2 930
- +
2SC1815GR (2PC1815) Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.15 А, 0.4 Вт JSCJ 7603 № 2 6
- +
2SC2655 Y Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 09 Вт (Комплементарная пара 2SА1020) Tos 244 № 2 42
- +
2SD1609 C Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.1 А, 1.25 Вт, (Комплементарная пара 2SB1109) Hit 26 № 2 56
- +
2SD2012 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А, 25 Вт Tos 222 № 2 56
- +
BC847A,215 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.15 Вт NEX 44470 № 2 4
- +
 
<< previous | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 next >>