|
Title |
Description |
Producer |
In Stock |
Store |
Price |
Купить |
|
Hesai pandar128 |
128-канальный механический 3D лидар с высокой плотностью данных |
Hesai |
200 |
№
76 |
7750000 |
|
|
Hesai qt128 |
128-канальный механический лидар ближней дальности |
Hesai |
200 |
№
76 |
920000 |
|
|
индук 470,0мкГн SMD03225C2[1210] LQH32M |
|
- |
под заказ |
№
35 |
83 |
|
|
индук 470,0мкГн SMD04532C2[1812] жел |
7064 L 470,0мкГн\1812SMD |
- |
под заказ |
№
35 |
45 |
|
|
индук 470,0мкГн SMD04532C2[1812] чер |
0332 L 470,0мкГн\1812SMD |
- |
под заказ |
№
35 |
45 |
|
|
индук 470,0мкГн SMD (71) |
0780 L 470,0мкГн\SMD(71) |
- |
под заказ |
№
35 |
83 |
|
|
индук 470,0нГн 0,47А SMD02928C2[1008] 5% CS1008 |
CHILISIN T/- [CS1008-R47J-S] |
- |
под заказ |
№
35 |
23 |
|
|
индук 470,0нГн SMD02012C2[0805] |
|
- |
под заказ |
№
35 |
45 |
|
|
индук 560,0нГн SMD02012C2[0805] |
|
- |
под заказ |
№
35 |
66 |
|
|
индук 680,0мкГн SMD04532C2[1812] |
0333 L 680,0мкГн\1812 (681K) |
- |
под заказ |
№
35 |
30 |
|
|
индук 680,0нГн 0,19А SMD02417C2[0805] 5% CS0805 |
CHILISIN T/- [LQW2BASR68J00*] |
- |
под заказ |
№
35 |
20 |
|
|
индук 820,0мкГн SMD04532C2[1812] |
CM-453232.820UK |
- |
под заказ |
№
35 |
30 |
|
|
индук 820,0нГн SMD02012C2[0805] |
|
- |
под заказ |
№
35 |
66 |
|
|
JCDRH124-221M |
IND 12.0×12.0×4.5mm |
JY |
под заказ |
№
29 |
59 |
|
|
B82477P4104M |
ЧИП-индуктивность экранированная 100мкГн ±20%, 1.87A, 138мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
104 |
|
|
B82477P4154M |
ЧИП-индуктивность экранированная 150мкГн ±20%, 1.61A, 185мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
62 |
|
|
B82477P4334M |
ЧИП-индуктивность экранированная 330мкГн ±20%, 1.02A, 460мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
109 |
|
|
B82724A2302N021 |
Дроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой... |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
233 |
|
|
B82732F2901B001 |
Дроссель подавления помех 27 мГн, 0.9А, 770 мОм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
344 |
|
|
B82476A1104M |
ЧИП-индуктивность 100мкГн 1,3A 12.95 x 9.4 x 5.08мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
47 |
|
|
B82442H1103K |
ЧИП-индуктивность 2220 10мкГн ±1000мА 0.168Ом |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
55 |
|
|
B82477R4821M100 |
ЧИП-индуктивность экранированная 0.82мкГн, 11.5A, Isat=38A 5мОм 12.5x12.5x8.5мм |
Epcos |
под заказ |
№
2 |
41 |
|
